三极管，MOSFET, IGBT的区别？

三极管，MOSFET, IGBT的区别？

做开关管来用的话，这三种区别还是很明显的。简单来说就是，三极管是电流控制电流，MOS管是电压控制电压，IGBT是电压控制电流。

三极管的微观构造是两个PN结，Vbe就是一个PN结的压降大约0.7V，用一个小电流Ib来控制一个大电流Ic。基极电流一般是毫安级别。

MOS管的微观构造是一块半导体上有一个绝缘层，这个绝缘层的厚度是根据栅极电压变化的，就像一个闸门一样，栅极电压越高闸门开的越大，一般栅压Vgs在10V左右，不超过20V，也有专门的低栅压mos，栅压5V就能完全打开，由于栅极是绝缘的，所以电流极小，只有微弱的漏电流纳安级别。IGBT类似上述两者的结合，用电压来控制PN结，适合大电流应用，几十几百安培级别。（19体育官方igbt厂家）