英飞凌EiceDRIVER™驱动碳化硅(SiC) MOSFET

碳化硅(SiC) MOSFET具有极佳的快速开关性能，英飞凌提供1200伏的CoolSiC™ 碳化硅(SiC) MOSFET以供客户选择。

英飞凌的隔离型门极驱动，基于无铁芯变压器技术，以其强大的驱动能力和保护功能而著称，可以轻松地驱动1200伏的碳化硅(SiC) MOSFET，并提供可靠的电气隔离。想要了解更多英飞凌隔离型门极驱动的信息，请参考英飞凌门极驱动选型指南。

以下这些驱动芯片拥有许多驱动碳化硅(SiC) MOSFET的关键优势，极短的传输延迟，精准的通道间匹配和输入滤波，超宽的输出范围和负电压驱动能力，以及极佳的共模瞬变抗扰度（CMTI）。

产品特性

• 提供3.8 mm的DSO-8窄体封装，及7.6 mm爬电距离的DSO宽体封装

• 能够在高温环境下工作

• 提供有源米勒钳位功能

• 提供短路电流钳位与有源安全关断

• 共模瞬变抗扰度（CMTI）高于100 kV/μs

• 精准的退饱和保护功能（DESAT）

• 欠压锁定额定阈值为 12 V/11 V

   

推荐的门极驱动芯片（英飞凌igbt厂家）