详细资料

制造商: 19体育官方 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 3300 V 

集电极射极饱和电压: 3.4 V 

在25 C的连续集电极电流: 330 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 2.2 kW 

最小工作温度: - 40 C 

最19体育官方作温度: + 125 C 

高度: 38 mm  

长度: 140 mm  

宽度: 73 mm   

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 4只

FF200R33KF2C IGBT 的工作原理和工作特性 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输 入阻抗特性。 当 MOSFET 的沟道形成后，从 P+ 基极注入到 N 一层的空穴（少子），对 N 一 层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压 时，也具有低的通态电压。

由于报错信号SO的管脚直接连到ASIC中，其内部为漏极开路电路，因此这个管脚对噪声比较敏感。如果有噪声进入这个管脚，CMOS工艺的ASIC可能会出现闩锁效应，导致错误出现。

如下图所示，上拉电阻R4放在控制器一侧，中间用长线连接至驱动器，在没有故障的情况下 在没有故障的情况下，SO管脚呈现高阻状态。且连接线越长，SO脚对噪声越敏感。

对于SO信号的处理，有以下方法：

1. SO信号必须有明确的电位，最好就近上拉；

2. SO信号 过长线传输时 经过长线传输时，可以考虑配合门电路，以提高电压信号抗扰能力，且接收端要配合阻抗合适的下拉电阻；

3. SO接10欧姆电阻，再用肖特基二极管做上下拉钳位保护；控制器端用电阻上拉

注意事项：

1. 如果用二极管串联至SO信号取“或”，必须先上拉再取 必须先上拉再取“或”，因为 极管平 二常是开路的，SO信号电位不确定。

2. SO是漏极开路电路，不同的SO可以直接短接进行“线与”。