MOS管和IGBT模块的测试方法

MOSFET测试方法：

如果知道FET的类型和针脚，用万用表测量G（栅极）和S（源）之间没有PN结电阻，G和D（漏极）之间没有PN结电阻，表明管损坏。万用表的R*1KOH档分别与场效应管的S极和D极相连，表面棒用手接触管极和G极。如果针不动，管子就不好；如果针比较大。振荡表明管道可用。

另外：1.结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管的区别

（1）区分包装

由于绝缘栅场效应管的栅极易被击穿和损坏，插脚通常短路或用金属箔包裹，而结场效应管在包装上没有特殊要求。

（2）测量指针式万用表的电阻。

用万用表的“R*LK”或“R*100”档测量G、S脚之间的电阻和N结的正负电阻。管子是节管。

2。用万用表电阻鉴别结场效应管脚

一般采用R*1K或R*100档进行测量。当选择两个管脚时，正确和反向电阻相同（均为数千欧元），两个电极为D和S电极（在使用中可互换），其余电极相同。

由于绝缘栅场效应管在测量中容易损坏，一般建议在不使用该方法识别管脚的情况下查阅手册。

检测IGBT模块好坏的简单方法：

1。要判断极性，首先将万用表设置在R*1K，用万用表测量时，如果一个极和另一个极的电阻为无穷大，更换表笔后，极和另一个极的电阻仍为无穷大，则判断极的栅极（G）。其他两极用万用表测量。如果测得的电阻为无穷大，则更换笔后测得的电阻很小。当电阻较小时，判断红色表笔连接为集电极（C），黑色表笔连接为发射极（E）。

2。判断是好是坏，将万用表置于R*10kQ档，用黑笔连接IGBT的集电极（C），用红笔连接IGBT的正时杆（E）。此时万用表指针为零。同时用手指触摸下栅极（G）和集电极（C），触发并打开手动GBT。万用表指针向电阻较小的方向摆动，可由站在某一位置指示。然后用手指同时触摸栅极（G）和发射极（E），然后IGBT被阻断，万用表指针回到零位。此时，可以判断IGBT是好的。

三。请注意，任何指针式万用表电铃都可以用来检测IGBT。在判断IGBT的质量时，必须将万用表置于R*IOK块中。由于R*ikq以下的万用表内部电池电压过低，检测到质量时无法打开IGBT，无法判断IGBT的质量。该方法也可用于功率场效应晶体管（P-MOSFET）的质量检测。

以两个单位为例：模拟万用表测量

静态测量：将万用表置于倍率100，测量黑色表笔连接1个端子，红色表笔连接2个端子，显示电阻应无穷大；

显示器的阻力应该在400欧元左右。同样，黑色表笔连接3个端子，红色表笔连接1个端子。

显示电阻应为无穷大，调整笔时，显示电阻应约为400欧姆。如果上述情况得到满足，则表明IGBT的两个单元没有明显的故障。

动态测试：万用表档位在10公里，用黑笔连接4个端子，用红笔连接5个端子，用红笔连接3个端子，用黑笔连接1个端子。此时电阻应为300-400拍，调整笔的电阻也有300-400拍左右，说明IGBT单元是完美的。

用同样的方法对1号和2号端子之间的IGBT进行测试，如果满足上述条件，则表明IGBT也完好无损。

将万用表置于R*10K块内，用黑笔接IGBT的漏极（D），用红笔接IGBT的源。此时，万用表指针指向无穷远。当手指同时接触栅极（G）和漏极（D）时，IGBT被触发并打开。万用表指针向电阻较小的方向摆动，能在一定的位置上站立和指示。然后用手指同时触摸源极和栅极，然后IGBT被阻断，万用表指针返回无穷远。此时，可以判断IGBT是好的。

igbt模块测量注意事项：

1。为了便于测量，直接从驱动板上拔出C、G、E。

2。进入第二次测量时，发射极（E）和栅极（G）应短接。

三。如果用指针式万用表判断IGBT是好是坏，则必须将万用表设置在R*10K块内。由于R*1K块以下的万用表内部电池电压太低，测试好坏时无法打开IGBT，无法判断IGBT好坏。

4。使用指针式万用表时，黑色表笔对应电源正极，红色表笔对应负极。因此，在测量IGBT时，测量端与数字表相对。