详细参数

制造商: 19体育官方 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 V 

集电极射极饱和电压: 2.1 V 

在25 C的连续集电极电流: 625 A 

栅极射极漏泄电流: 400 nA 

功率耗散: 2500 W 

最小工作温度: - 40 C 

最19体育官方作温度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

长度: 106.4 mm  

宽度: 61.4 mm  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

使用二极管检测的退饱和保护

SCALE-2技术还可利用高压二极管实现退饱和保护，如下图所示。但是，与使用电阻相比，使用高压二极管有一些劣势：

1与集电极-发射极电压的变化率dvce/dt相关的共模电流：高压二极管的结电容Cj很大。这些电容与dvce/dt共同作用产生了流进和流出测量电路的共模电流Icom。

2市场价格：高压二极管比标准0805/150V或1206/200V SMD电阻器价格更贵。

3可获得性：从市场上采购标准厚膜电阻相对更方便一些。

4稳定性有限：在较低的VCE水平下反应时间不会增大。然而，在较高IGBT温度、较高集电极电流、谐振开关操作或相移PWM的情况下可能会发生保护动作被错误触发，特别是参考电压Vthx设置为大约10V以下的值时。

参考电压的上限被限制为大约10V，这可能会造成IGBT利用率有限：集电极电流可能会被限制在两倍额定电流以内的值，或者短路耐受能力将会降低。

在IGBT关断状态期间，D4（和Rax）将VCEx引脚设置为COMx电位，从而将电容Cax预充电/放电到负电源电压，该电压相对于VEx大约为-10V。

在IGBT导通时，电容Cax通过Rax充电。当IGBT集电极电位降低到某一水平时，Cax的电压被高压二极管D1和D2限制住。

正向恢复效应与器件的关系

在这里我们不讨论产生二极管正向恢复现象的原因，不过可以这样认为，这是半导体器件的固有的属性。

绝大多数情况下，正向恢复效应不会产生什么问题，所以通常很少被讨论。关于这个效应，有几个特点需要注意：

1. 二极管温度越高时，正向恢复效应越强烈，幅值及时间都会较长。

2. 电压越高，电流越大的器件，正向恢复效应越强。

3. 不同品牌的器件 不同品牌的器件，即使是同 电压或电流等级 一电压或电流等级，正向恢复效应程度也许会有所不同。