IGBT
IGBT（绝缘栅双极晶体管）绝缘栅双极晶体管是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合完全控制电压驱动功率半导体器件，其具有两个MOSFET。 GTR的高输入阻抗和低导通电压降的优点。 GTR饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大; MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通电压降大，且载流密度小。 IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和降低的饱和电压。适用于直流电压为600V及以上的转换器系统，如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动和其他领域。
IGBT本质上是一个场效应晶体管。在结构上，IGBT非常接近P功率MOSFET。在背面的漏电极上增加了一个P+层，我们称之为注入层。上述功率MOSFET本质上是一种传统的MOSFET。它仍然与单载波（多载波）导电，所以我们还没有达到其最终性能。因此，一种新的结构被开发出来。除了MOSFET本身的电子之外，当功率MOSFET被开启时，我们如何能将空穴注入漏极？因此，自然地，在泄漏端（名字的来源）引入P+注入层，并且从泄漏端添加P+/N-驱动P-N结，但是它是偏置的，所以它不影响传导，但是增加了空穴注入效应，所以它的特性类似于BJT。有两种载体参与传导。所以最初的源头变成了发射器，排水变成了收集器。
从上面的结构和右边的等效电路图可以看出，它有两个等效的BJT背对背链路。它实际上是PNPN的晶闸管，不是我们故意制造的，而是由结构产生的。正如我在5个月前关于Latch-up的文章（//ic-..cn/？P=511)，这种结构最致命的是锁存。控制锁存的关键是控制Rs，只要它满足α1+α2<1。
此外，这种结构的优点是提高电流驱动能力，但缺点是当器件关断时，通道在没有许多子电流的情况下被快速地切断，但是仍然有一些子孔被注入到集电器(排水)端子，因此整个器件的电流需要缓慢地t甩掉（尾流），影响设备的关闭时间和工作频率。这是开关器件的一大禁忌，因此在P+和N-驱动器之间引入N+缓冲层结构。该层的功能是使从收集器注入的孔在器件关断时迅速终止于N+中。
结合缓冲层以提高开关频率。我们称这种结构为PT-IGBT（穿透型），而NPT-IGBT没有N+缓冲区。
一般来说，NPT-IGBT比PT-IGBT的Vce(sat)高，主要是因为NPT是正温度系数(P+衬底比空穴注入薄)，而PT是负温度系数(因为P衬底较厚，所以晶体管的基极调制效应明显)，Vce(sat)决定开关损耗，所以NPT必须如果需要相同的Vce(sat)，则增加DRI。FT厚度，所以Ron增加。
以上内容由19体育官方(中国)有限公司官网为您带来，19体育官方(中国)有限公司官网是一家集代理、分销、直销及为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。公司与各种半导体公司旗下的各大代理商长期保持良好的合作分销关系。找深圳19体育官方igbt厂家，深圳19体育官方igbt销售；就找逸盛通！欢迎来电咨询：13316584388
