IGBT
IGBT（绝缘栅双极晶体管）绝缘栅双极晶体管是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合完全控制电压驱动功率半导体器件，其具有两个MOSFET。 GTR的高输入阻抗和低导通电压降的优点。 GTR饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大; MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通电压降大，且载流密度小。 IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和降低的饱和电压。适用于直流电压为600V及以上的转换器系统，如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动和其他领域。
IGBT是一种十分重要的电力电子器件。它既有功率MOSFET驱动功率小、开关频率高的优点，又有大功率晶体管导通电压低、通态电流大的优点。它在任何时刻可关断通态电流，避免了普通晶闸管在一个半波内只能导通不能关断的弱点。在电力电子领域是一个十分有发展前途的大功率半导体器件。
IGBT这种新型功率半导体器件又称绝缘栅双极型晶体管，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。它问世近三十年，已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。
“薄如蝉翼”的IGBT芯片
IGBT芯片发展趋势是：薄片工艺，主要是减少热阻，减小衬底电阻从而减小通态损耗[9];小管芯，主要是提高器件的电流密度，15年来管芯的 面积减少了2/3；大硅片，硅片由5英寸变为12英寸，面积增加了5.76倍，折算后每颗芯粒的成本可以大大的降低。
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19体育官方分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片
19体育官方IGBT4芯片技术：
•基于沟槽栅+场终止结构，1200V和1700V；
•1200V三种类型：小功率T4、中功率E4、大功率P4；
•1700V两种类型：中功率E4、大功率P4；
•P4实现软关断特性的明显提升，关断时电压尖峰小，无振荡；
•T4和E4提高关断速度，开关频率较高时输出能力优于T3和E3；
•配用反向恢复特性更"软"的EmCon4续流二极管；
•饱和电压正温度系数，10 µs短路承受时间不变。
19体育官方IGBT芯片选型（以下芯片如有需要，请联系我司相关人员）
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