详细参数

制造商: 19体育官方 

产品种类: IGBT 模块 

集电极发射极最大电压 VCEO: 1700 V 

集电极射极饱和电压: 2.45 V 

在25 C的连续集电极电流: 440 A 

栅极射极漏泄电流: 100 nA 

功率耗散: 1800 W 

最小工作温度: - 40 C 

最19体育官方作温度: + 150 C  

栅极发射极最大电压: +/- 20 V  

包装数量: 10只

位于17mm IGBT模块上方的2SC0108T和2SC0435T

17mm 的IGBT模块在电力电子应用中越来越流行。Fuji、Infineon、IXYS、Mitsubishi、Semikron和DanfossSilicon Power等众多生产厂商在市场上供应多种17mm封装的IGBT模块。

建议不要直接在IGBT模块上面使用2SC0108T或2SC0435T驱动器，特别是在17mm IGBT模块上面。开通和关断瞬间以及特别是在IGBT短路期间的磁场耦合可能会造成驱动器失灵。

AC和DC母线

由于三明结构，层叠直流母排通常产生较低的外部磁场和电场。因此，只要绝缘和电气间隙充足，门极驱动器可位于直流母排的上方或下方。

但是，涉及交流输出或桥臂输出母排的情况则有所不同。输出电流在输出母线周围产生磁场，电场的变化速度通常很高。如果驱动器直接放置在AC母排上方或下方，可能需要进行屏蔽。

这可以采用铁板（用于低频屏蔽）或厚铝板或铜板（用于高频屏蔽）。流经屏蔽层的涡流电流将会部分补偿驱动器附近产生的磁场。

但是，通常建议AC母排和驱动器保持一个最小距离（通常几厘米就已足够），以降低磁场对驱动器的影响。一般来说，导通的电流与信号电子元件的相互距离越近，发生电磁影响的风险越高。 

这种可以用数字信号控制的强电开关还有很多种。作为其中的一员，IGBT的特点是，在它这个电流电压等级下，它支持的开关速度是最高的，一秒钟可以开关几万次。

GTO以前也用在轨道交通列车上，但是GTO开关速度低，损耗大，现在只有在最大电压电流超过IGBT承受范围才使用;IGCT本质上也是GTO，不过结构做了优化，

开关速度和最大电压电流都介于GTO和IGBT之间;大功率mosFET快是快，但不能支持这么大的电压电流，否则会烧掉。